随着时间的推移，频率值随着晶振变化的大小，有年老化和日老化两种指标。高精度恒温晶振（OCXO）可以达到10-8 ppm/年。以上是选型时工程师应考虑的晶振参数，前5个参数一般就能选出相对应的石英晶振型号。其中最重要的指标是晶振频率稳定度。所谓高端，就是晶振频率稳定度非常好的晶振。随着技术的发展，对高端晶振的需求会日益增加。我们的恒温晶振（OCXO）频率稳定性可以达到10-9级别
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型号 |
符号 |
参数 |
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输出规格 |
- |
LVPECL |
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输出频率范围 |
fo |
25-200MHz |
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电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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频率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存温度范围 |
T_stg |
-40-+85℃ |
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运行温度范围 |
T_use |
-10-+70℃,-40-+85℃ |
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消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
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待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
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输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形对称 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
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0电平电压 |
VOL |
- |
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1电平电压 |
VOH |
- |
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上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
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差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
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差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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补偿电压 |
VOS |
1.125-1.375V |
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补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉点电压 |
Vcr |
- |
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OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
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输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
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周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
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相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
晶振在使用过程中需要注意哪些事项，晶振产品在使用过程中产生不良都有那些原因照成的，如果石英晶振产生了不良我们又该怎么处理，怎么去预防在以后的生产过程中确保品质不在出问题。
大家都知道晶振其实分为很多的类别，比如陶瓷谐振器，以及石英晶体谐振器，石英晶体振荡器，那么石英晶体振荡器又称呼为有源晶振，何为有源晶振？
有源的意思就是带有电压功能，是只产品在使用过程中首先需要通过电压起振，一般有源晶振的电压在3.3V-5V之间。其实有源晶振在细分的情况下又能分成压控振荡器（VCXO）以及温补晶振(TCXO)这两者又可以合并为压控温补晶振（VC-TCXO），压控晶振的原理简单的说就是产品在工作过程中有一个电压稳定控制功能，当石英晶振在使用过程中遇到电压变大或者变小的情况下，产品可以在自带电压功能的情况下把电压控制在可接受范围，以及控制振荡器的PPM精度，不超出在需要的频率内，使其能够稳定的给CPU提供精准信号，这就是压控振荡器的主要特点。
TXC晶振,差分晶振,DB晶振
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