有源2520进口振荡器,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振

因此除了KHZ,MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHz为止高频的表面声波（SAW）元器件.爱普生拓优科梦把半导体（IC）称之为“产业之米”,并认为日产晶振元器件更是离不开的“产业之盐”.将进一步致力于小型、高稳定、高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景. 　爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶振元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.

爱普生晶振,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

型号	符号	参数
输出规格	-	CMOS
输出频率范围	fo	80~170MHZ
电源电压	VCC	1.8V±10％
频率公差（含常温偏差）	f_tol	±50×10-6max., ±100×10-6max.
保存温度范围	T_stg	-40-+85℃
运行温度范围	T_use	-10-+70℃,-40-+85℃
消耗电流	ICC	20mA max.
待机时电流（＃1引脚"L"）	I_std	10μA max.
输出负载	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形对称	SYM	45-55% [at outputs cross point]
0电平电压	VOL	-
1电平电压	VOH	-
上升时间下降时间	tr, tf	0.4ns max. [20-80% Output-OutputN]
差分输出电压	VOD1, VOD2	0.247-0.454V
差分输出误差	⊿VOD	50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜]
补偿电压	VOS	1.125-1.375V
补偿电压误差	⊿VOS	50mV
交叉点电压	Vcr	-
OE端子0电平输入电压	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1电平输入电压	VIH	VCC×0.7 min.
输出禁用时间	tPLZ	200ns
输出使能时间	tPZL	2ms
周期抖动（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖动（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
总抖动（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]
相位抖动	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz-5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz-20MHz]

爱普生有源进口MHZ振荡器型号列表:

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG-210SDH

125.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 9.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SDH

100.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-50 ppm

≤ 7.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SDH

156.250000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 9.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SDH

125.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-100 ppm

≤ 7.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SEH

125.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 6.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SEH

100.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 6.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SEH

133.333000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 8.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SEH

156.250000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 8.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SEH

100.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-100 ppm

≤ 6.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SEH

133.330000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 8.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SEH

145.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 8.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

爱普生有源进口MHZ振荡器编码列表:

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0039410008

SG-210SDH

125.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 9.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039410010

SG-210SDH

100.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-50 ppm

≤ 7.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039410013

SG-210SDH

156.250000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 9.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039410014

SG-210SDH

125.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-100 ppm

≤ 7.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039510001

SG-210SEH

125.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 6.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039510002

SG-210SEH

100.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 6.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039510003

SG-210SEH

133.333000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 8.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039510004

SG-210SEH

156.250000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 8.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039510008

SG-210SEH

100.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-100 ppm

≤ 6.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039510009

SG-210SEH

133.330000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 8.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

X1G0039510010

SG-210SEH

145.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 8.0 mA

+/-5ppm

45 to 55 %

SG-210SEH SDH SCH 2520 CMOS

PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于2520晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。爱普生晶振,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振

存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响压电贴片晶体频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。正常温度和湿度：温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

机械振动的影响:当贴片有源晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。

我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器,2520超小型贴片晶振,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.爱普生晶振,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振

爱普生晶振环境影响的最小化：遵照社会的期望,改进的环境行为,我们将通过有效利用森林、能源以及其它资源,减少2520mm晶体振荡器形式的废物来实现这一承诺.爱普生晶振环境管理体系：在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标.

环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.加强环境意识教育,提高环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）,金属面晶体振荡器,石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响.