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台湾希华SIWARD公司XTL721-S999-286晶振编码简单介绍

2023-10-13 15:48:18 

台湾希华SIWARD公司XTL721-S999-286晶振编码简单介绍

希华晶体科技成立于1988.专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售.从人工晶棒长成到最终产品.透过最佳团队组合及先进之生产技术.建立完整的产品线.包含人工水晶、石英晶片、SAWWAFER.以及希华SIWARD石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等.以健全的供应炼系统.为客户提供全方位的服务.产品应用范围包含行动电话、平板电脑、卫星通讯、车载系统、全球定位系统、个人电脑、无线通信及家用产品等.扮演基本信号源产生、传递、滤波等功能.持续致力于技术研究开发及品质落实扎根.

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营运据点遍布台湾、中国大陆、日本、新加坡、美国及欧洲等世界各地.使希华得以提供服务予世界电子大厂.导入先进微机电制程创新研发技术:敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流.致力于开发小型化、高频与光电领域等产品.与日本同业并驾齐驱.且深耕微机电(MEMS)技术领域.加速导入TFSMDCrystal的量产.藉以扩大公司贴片晶振营收规模并且提升获利空间.藉由台湾、日本、大陆三地的产品设计开发与制程资源整合.不断开发创新及制程改造.以全系列完整产品线.来满足客户对石英元件多样化的需求.积极地透过产学合作与配合国外技术引进开发新产品.多角化经营、扩大市场领域.此亦为公司得以永续经营的方针.

MEMS振荡器

基于MEMS的振荡器产生与晶体振荡器相同的结果,但工作方式不同.MEMS表示微机电系统”.这种振荡器在芯片中使用刻蚀硅片来充当具有共振频率的音叉.晶体振荡器在制造过程中涉及到两种技术.石英晶片不仅制造难度大,而且成本昂贵.它们需要与振荡电路结合,因而在制造差分晶振流程中需要额外步骤.这样会提高成本,延长交付周期.MEMS振荡器只需采用硅片技术,这种技术实现了高度自动化,而且制造成本低于石英晶体.因此,成品的成本比较低.MEMS振荡器消耗的电流通常低于晶体振荡器,因而成为电池供电应用的理想选择.它们还能比晶体振荡器更好地耐受剧烈振动和冲击.SiTIME提供的SIT8808BI-73-18S-25.000000G就是MEMS振荡器的一个实例.

如果客户查找SIT8808BI-73-18S-25.000000G,他们将能非常快速地找到类似的产品.轻松完成此项操作的一个诀窍是进入产品页面的“ProductAttributes”(产品属性)部分.进口晶振编码也许客户需要类似于SIT8808BI-73-18S-25.000000G但频率不同的MEMS振荡器.这时可从“ProductAttributes”(产品属性)区域进行参数搜索,方法是点击所需的每项属性右侧的方框.如果客户需要一款具有以下特性的MEMS振荡器:提供待机选项和LVCMOS输出,采用1.8V的电源,具有+/-50ppm的频率稳定性

XTL721-S999-286表晶,希华3215晶体,SIWARD无源晶振

希华晶振编码 制造商 希华晶振参数描述 负载电容 工作温度 脚位 晶振大小 / 尺寸
XTL721-Q23-048 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 6pF -40°C ~ 85°C 2 3215
XTL721-S349-005 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 7pF -40°C ~ 85°C 2 3215
XTL721-S999-301 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 9pF -40°C ~ 85°C 2 3215
XTL721-S999-429 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 6pF -40°C ~ 85°C 2 3215
XTL721-S999-286 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 12.5pF -40°C ~ 85°C 2 3215
XTL741-S999-319 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 9pF -40°C ~ 85°C 2 2012
XTL741-U11-402 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 7pF -40°C ~ 85°C 2 2012
XTL741-S999-298 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 12.5pF -40°C ~ 85°C 2 2012
XTL741-S999-379 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 7pF -40°C ~ 85°C 2 2012
XTL741-S999-327 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 4pF -40°C ~ 85°C 2 2012
XTL751-S999-544 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 12.5pF -40°C ~ 85°C 2 1610
XTL751-S999-420 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 7pF -40°C ~ 85°C 2 1610
XTL751-S999-548 Siward CRYSTAL 32.768 KHZ 20PPM CRYSTAL 9pF -40°C ~ 85°C 2 1610
XTL571150-M118-161 Siward CRYSTAL 3.2 X 2.5MM 40MHZ +/-7PP 10pF -40°C ~ 105°C 4 3225
XTL501300-S315-026 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 38.4MHZ +/-1 10pF -40°C ~ 125°C 4 2016
XTL571100-R53-065 Siward CRYSTAL 3.2 X 2.5MM 40MHZ +/-10P 9pF -30°C ~ 85°C 4 3225
XTL501-Q23-045 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 32MHZ +/-4.5 6pF -40°C ~ 85°C 4 2016
XTL501350-S315-027 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 39MHZ +/-8PP 10pF -40°C ~ 125°C 4 2016
XTL501100-R53-066 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 40MHZ +/-10P 9pF -30°C ~ 85°C 4 2016
XTL581-M118-175 Siward CRYSTAL 2.5 X 2.0MM 40MHZ +/-7PP 7pF -30°C ~ 85°C 4 2520
XTL501150-R53-028 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 40MHZ +/-5PP 9pF -40°C ~ 85°C 4 2016
XTL501200-R53-051 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 40MHZ +/-10P 12pF -30°C ~ 105°C 4 2016
XTL571150-M118-085 Siward CRYSTAL 3.2 X 2.5MM 40MHZ +/-5PP 10.5pF -40°C ~ 105°C 4 3225
XTL901-Q23-046 Siward CRYSTAL 1.6 X 1.2MM 32MHZ +/-20P 6pF -40°C ~ 85°C 4 1612
XTL901150-M118-185 Siward CRYSTAL 1.6 X 1.2MM 52MHZ +/-7PP 8pF -40°C ~ 100°C 4 1612
XTL901200-T257-026 Siward CRYSTAL 1.6 X 1.2MM 32MHZ +/-10P 8pF -40°C ~ 85°C 4 1612
XTL501200-R53-067 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 40MHZ +/-10P 9pF -40°C ~ 105°C 4 2016
XTL501200-R53-023 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 40MHZ +/-10P 12pF -30°C ~ 105°C 4 2016
XTL501250-S315-038 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 39MHZ +/-10P 10pF -40°C ~ 110°C 4 2016
XTL581140-B63-300 Siward CRYSTAL 2.5 X 2.0MM 54MHZ +/-3PP 19pF -40°C ~ 105°C 4 2520
XTL581140-B63-304 Siward CRYSTAL 2.5 X 2.0MM 50MHZ +/-3PP 19pF -40°C ~ 105°C 4 2520
XTL501150-M118-183 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 80MHZ +/-7PP 8pF -40°C ~ 105°C 4 2016
XTL501-B63-307 Siward CRYSTAL 2.0 X 1.6MM 80MHZ +/-6PP 19pF -40°C ~ 105°C 4 2016
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