三星2023量产三代4nm芯片不生产3纳米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12M 33PF
三星2023量产三代4nm芯片不生产3纳米晶振CSTNE12M0G550000R0 3213 12M 33PF
实际上三星电子先进制程良率非常低,自5纳米工艺开始一直存在良率问题,在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕.2022年2月,三星因4nm工艺良率低的问题,导致高通不得不将骁龙8Gen1Plus交给台积电来代工,同时可能将下一代处理器也交给台积电3nm工艺代工.
实际上根据ctee的报告,村田晶振muRata谐振器,陶瓷村田晶振与之前的4/5nm工艺一样,三星在3nmGAA工艺的生产中也遇到了挫折,良率只有20%.为了克服生产过程中遇到的诸多障碍,三星还选择与美国公司合作,协助其提高3nmGAA工艺的良率.尽管此后三星宣称已经通过整合其合作伙伴使用的技术获得了积极成果,但实际良率还不得而知,也没有明显市场表现.三星抢跑“量产”3nm芯片
日本村田晶振,石英晶体谐振器CSTNE,贴片晶振编码CSTNE12M0G550000R0
为此三星似乎将目光重点转向提升芯片良率上.3月12日,三星电子公布了《三星电子事业报告书》.报告书显示,三星将于今年上半年开始量产基于4nm工艺的2.3代芯片.这是三星电子首次提及4纳米后续版本的具体量产时间.或许,村田晶振这也意味着三星正从冒进的先进芯片工艺策略务实转向提升良率.当前在尖端芯片工艺上,三星与台积电可算得上“第一阵营”.然而就先进芯片工艺良率上,三星与台积电还是存在一些差距.以3纳米芯片为例,尽管三星采用了GAA工艺,但良率仍然不敌台积电.日本村田晶振,石英晶体谐振器CSTNE,贴片晶振编码CSTNE12M0G550000R0
品牌
原厂代码
型号
尺寸
频率
负载/电压
精度
脚
MURATA
CSTLS8M00G53-B0
CSTLS
9060
8.000M
15PF
0.50%
2 PIN
MURATA
CSTLS4M00G53-B0
CSTLS
9060
4.000M
15PF
0.50%
2 PIN
MURATA
CSTNE8M00G520000R0
CSTNE
3213
8.000M
10PF
0.50%
3 PIN
MURATA
CSTNE8M00G550000R0
CSTNE
3213
8.000M
33PF
0.50%
3 PIN
MURATA
CSTNE10M00G520000R0
CSTNE
3213
10.000M
10PF
0.50%
3 PIN
MURATA
CSTNE10M00G550000R0
CSTNE
3213
10.000M
33PF
0.50%
3 PIN
MURATA
CSTNE12M0G550000R0
CSTNE
3213
12.000M
33PF
0.50%
3 PIN
MURATA
CSTNE16M0V53-R0
CSTNE
3213
16.000M
15PF
0.50%
3 PIN
MURATA
CSTCR4M00G53-R0
CSTCR
4520
4.000M
15PF
0.50%
3 PIN
MURATA
CSTCC3M58G53-R0
CSTCC
7234
3.58M
15PF
0.50%
3 PIN
MURATA
CSTCC4M00G53-R0
CSTCC
7234
4.000M
3 PIN
TXC
2012
32.768K
7PF
SEIKO
Q-SC20S0322070AAAF
SC-20S
2012
32.768K
7PF
20PPM
EPSON
X1A000061000800
FC-12M
2012
32.768K
9PF
20PPM
EPSON
X1A000061000500
FC-12M
2012
32.768K
12.5PF
20PPM
NDK
STD-MUB-1
NX2012SA
2012
32.768K
12.5PF
NDK
EXS00A-MU01289
NX2012SA
2012
32.768K
12.5PF
EPSON
Q13FC1350004900
FC-135
3215
32.768K
6PF
20PPM
SEIKO
SC-32S
3215
32.768K
7PF
20PPM
EPSON
Q13FC1350000200
FC-135
3215
32.768K
7PF
20PPM
HONISO
ETST00327000LE
ETST
3215
32.768K
7PF
20PPM
NDK
EXS00A-MU00503
NX3215SA
3215
32.768K
12.5PF
NDK
STD-MUS-2
NX3215SA
3215
32.768K
12.5PF
SEIKO
Q-SC32S03210C5AAAF
SC-32S
3215
32.768K
12.5PF
10PPM
大河
Q7EA327A
TFX-02S
3215
32.768K
12.5PF
20PPM
SEIKO
Q-SC32T03220C5AAAF
SC-32T
3215
32.768K
12.5PF
20PPM
EPSON
Q13FC1350000400
FC-135
3215
32.768K
12.5PF
20PPM
贴片晶振
4115
32.768K
12.5PF
20PPM
CITIZEN
CM51932768DZFT
CM519
5020
32.768K
12.5PF
20PPM
CITIZEN
CM13032768DZYT
CM130
7015
32.768K
7PF
10PPM
SEIKO
Q-SPT7P032762070FF
SSP-T7-F
7015
32.768K
7PF
10PPM
EPSON
Q13MC1462000100
MC-146
7015
32.768K
7PF
20PPM
SEIKO
Q-SPT7P032762050CC
SSP-T7-F
7015
32.768K
12.5PF
20PPM
4 PIN
CM200C
8038
32.768K
12.5PF
CMR206T
206
32.768K
12.5PF
20PPM
2022年6月,三星“压哨”实现了自己对3nm量产时间的承诺,即量产基于GAA晶体管（Gate-All-AroundFET,全环绕栅极）结构的3nm芯片.尽管三星宣称与最初使用FinFET的5nm工艺相比,第一代3nmGAA工艺节点在功耗、深圳进口晶振代理商性能和面积(PPA)方面都有不同程度的改善,但其良率非常低.3纳米不尽人意!三星2023上半年转向量产第三代4nm芯片三星2023年的新旗舰机S23,主要将搭载高通的处理器,Exynos芯片改用于中端机种.这对三星自身芯片代工而言,也是自打自脸.此前有消息人士透露,三星认为4纳米是3纳米和5纳米之间的过渡制程,投入的资源极少.不过三星似乎也在改变此前的做法.
日本村田晶振,石英晶体谐振器CSTNE,贴片晶振编码CSTNE12M0G550000R0
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