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MEMS硅晶振与爱普生石英晶振Q24FA20H0017200简单了解下

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 浏览：- 发布日期：2022-08-27 17:22:05【大 中 小】
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MEMS硅晶振与爱普生石英晶振Q24FA20H0017200简单了解下

我们将晶体振荡器和MEMS振荡器的参数有什么不同.参数都是通信,工业,和消费领域的主要参数.MEMS振荡器更适合高振动环境,爱普生晶振非关键定时应用以及信号噪声比不重要的应用.像高速通信,复杂调制方案,出色的信噪比之类的应用,晶体振荡器将优于MEMS振荡器.石英材质拥有低抖动,极高的Q值,以及出色的时间和温度稳定性.

MEMS硅晶振,爱普生石英晶振Q24FA20H0017200

爱普生晶振编码 长x宽x高 型号 石英晶振频率 负载 频率25°C 频率公差 工作温度范围 ESR最大 驱动电平
Q24FA20H0015500 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 27.000000 MHz 8 pF +/-10 ppm +/-15 ppm -30 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0015600 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 24.000000 MHz 7 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0016600 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 18 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0016900 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 40.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 40 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0017200 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 20 pF +/-10 ppm +/-20 ppm -40 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0017500 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 10 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0017600 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 20.000000 MHz 9 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0019300 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 26.000000 MHz 10 pF +/-10 ppm +/-20 ppm -40 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0019600 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 32.000000 MHz 8 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 50 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0020100 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 10 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0020200 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 14 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0020800 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 32.000000 MHz 13 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 50 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0020900 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 40.000000 MHz 9 pF +/-10 ppm +/-20 ppm -40 to +85 °C ≤ 40 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0021400 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 40.000000 MHz 10 pF +/-10 ppm +/-20 ppm -40 to +85 °C ≤ 40 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0022300 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 30.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-20 ppm -40 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0022500 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 16.000000 MHz 8 pF +/-10 ppm +/-12 ppm -20 to +70 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0022800 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 16.000000 MHz 10 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -30 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0022900 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 26.000000 MHz 6 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0023200 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 16.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-20 ppm -40 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0023300 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 27.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-12 ppm -20 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0023800 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 27.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-19 ppm -40 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0024100 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 27.000000 MHz 12 pF +/-30 ppm +/-50 ppm -20 to +70 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0024200 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 24.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0024700 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 16.000000 MHz 16 pF +/-10 ppm +/-30 ppm -40 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0024900 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 24.000000 MHz 7 pF +/-30 ppm +/-20 ppm -20 to +70 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW

抗震性在冲击测试中,石英振荡器对冲击非常敏感,顺t态频率峰值超过10ppm,而MEMS振荡器的瞬态频率偏差则小于1ppm.

长期稳定性长期稳定性可以用老化率表示.我们选取了同样频率的石英振荡器和MEMS振荡器在122天（2928小时）为周期测量老化率.MEMS振荡器显示大于1ppm的频率跳跃（短期稳定性）,并未建立长期的趋势.石英振荡器的数据点最大变化为0.26ppm.

短期稳定性我们选取了日本进口晶振同样频率的石英振荡器和MEMS振荡器,在25°C条件下,每隔0.1秒测量一次调整偏差,总共八分钟.频率变化以一次读数引用的ppm显示.石英振荡器的变化量小于±0.02ppm(20ppb).试验数据表明石英振荡器和MEMS振荡器的设计和特性不一样.MEMS器件中的低Q值会导致频率变化.MEMS振荡器的ppm的快速变化表明温度补偿电路在时刻根据谐振器温度变化而变化.PPL电路中的数字变化,用于校正频率.石英振荡器有更好的Q值,并且不需要数字校正信号,因此短期稳定更好.试验结果表明,石英振荡器的短时稳定性优于MEMS振荡器,并且石英振荡器的Q值高MEMS硅晶振,爱普生石英晶振Q24FA20H0017200

QQ截图20220827170317

起振时间具有快速启动功能的振荡器具有更短的唤醒周期和更长的电池寿命.这对消费者和家庭自动化应用非常重要,因为系统会快速打开和关闭以节省电池电量.我们选取了同样频率的石英振荡器和MEMS振荡器进行起振时间的对比.

相位噪声我们选取了日产晶振同样频率的石英振荡器和MEMS振荡器进行对比:石英晶振相位噪声优于MEMS晶振.

温度稳定性我们选取了同样频率的石英振荡器和MEMS振荡器从-40°C到+85°C,以一分钟增加2°C的速率进行对比频率温度稳定性的试验.石英晶体振荡器的频率与温度遵循AT切晶体的连续立方曲线,从-40到+85°C达到±15ppm.MEMS振荡器的频率与温度特性似乎优于晶体振荡器.

MEMS硅晶振,爱普生石英晶振Q24FA20H0017200

爱普生晶振编码 长x宽x高 型号 石英晶振频率 负载 频率25°C 频率公差 工作温度范围 ESR最大 驱动电平
Q24FA20H0025100 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 26.000000 MHz 10 pF +/-25 ppm +/-25 ppm -20 to +75 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0026000 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 32.000000 MHz 10 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 50 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0026600 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 24.000000 MHz 10 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -40 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0027000 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 24.000000 MHz 10 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -30 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0027100 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 24.000000 MHz 10 pF +/-20 ppm +/-14 ppm -30 to +70 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0027200 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 18 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -20 to +70 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0027600 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 27.120000 MHz 10 pF +/-15 ppm +/-15 ppm -20 to +75 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0027900 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 26.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-12 ppm -20 to +70 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0028700 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 30.000000 MHz 8 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0028900 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 26.000000 MHz 9 pF +/-10 ppm +/-18 ppm -40 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0029800 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 20.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +70 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0030800 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 16.000000 MHz 9 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0031500 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 26.000000 MHz 12 pF +/-10 ppm +/-18 ppm -40 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0032100 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 27.120000 MHz 10 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -20 to +75 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0032200 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 32.000000 MHz 10 pF +/-15 ppm +/-15 ppm -30 to +85 °C ≤ 50 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0032500 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 24.576000 MHz 18 pF +/-30 ppm +/-10 ppm -20 to +70 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0032600 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 15 pF +/-20 ppm +/-30 ppm -20 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0033100 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 16.000000 MHz 12 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -40 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0033200 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 18 pF +/-30 ppm +/-30 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0033800 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 30.000000 MHz 10 pF +/-10 ppm +/-12 ppm -20 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0033900 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 24.000000 MHz 18 pF +/-10 ppm +/-25 ppm -40 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0034000 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 19.200000 MHz 18 pF +/-10 ppm +/-10 ppm -20 to +75 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0034300 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 27.120000 MHz 18 pF +/-20 ppm +/-10 ppm -20 to +70 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0034400 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 25.000000 MHz 9 pF +/-10 ppm +/-20 ppm -40 to +85 °C ≤ 80 Ω ≤ 100 µW
Q24FA20H0034500 2.5 x 2 x 0.55mm FA-20H 27.000000 MHz 9 pF +/-10 ppm +/-20 ppm -40 to +85 °C ≤ 60 Ω ≤ 100 µW

然而,随着温度的上升,MEMS振荡器的锁向电路以离散步骤调整频率,频率温度曲线图呈锯齿状曲线.此现象表明当温度上升,MEMS振荡器切换到温度补偿,导致频率跳跃,不稳定.在温度补偿方面,石英晶体振荡器中TCXO使用了模拟温度补偿和简单的温度补偿电路来实现从-40到+85°C,温度偏差在±1ppm以内,并且频率不会跳跃.TCXO最低的温度偏差可达到0.1ppm.

电子设备和通信系统设备的振荡器选择工业级晶振是影响系统性能的主要因素.目前振荡器有两种：

石英晶体振荡器是由石英晶体的基本结构构成,和一个简单的振荡器电路.

全硅MEMS谐振器,锁向电路,温度补偿,以及制造校准;MEMS硅晶振作为振荡源,需要PLL电路去校准频率制造公差和温度系数.MEMS硅晶振,爱普生石英晶振Q24FA20H0017200

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