- [行业资讯]1XVD008192VB晶振型号DSV321SV 3225 8.19M晶体管器件物理领域取得进展2023年03月06日 17:41
1XVD008192VB晶振型号DSV321SV 3225 8.19M晶体管器件物理领域取得进展
该研究得到国家重点研发计划项目电子器件与集成技术重点实验室开放课题、国家自然科学基金及中科院战略性先导科技项目的KDS晶振大真空晶体支持.针对此问题团队制备了基于p型和n型有机分子构成的单晶电荷转移界面的晶体管器件,探究了电荷转移界面以及栅氧界面电场的相互作用对晶体管工作时载流子及电导分布特性的影响.相较于界面单晶体内的缺陷态减少3个数量级以上,这意味着更小的散射概率和更高的器件迁移率.
日本KDS晶振,Y1XVD008192VB有源晶振编码,石英晶振型号DSV321SV 3225 8.19M
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