解析SAW/BAW滤波器与陶瓷材料的核心区别
解析SAW/BAW滤波器与陶瓷材料的核心区别
SAW(声表面波)滤波器和BAW(体声波)滤波器,均属于射频无源滤波器,二者的核心定位高度一致,都是"筛选有用信号,滤除干扰杂波",是无线通信系统中不可或缺的核心功能器件.无论是消费电子的智能手机,智能穿戴设备,还是工业领域的工控终端,5G基站,亦或是汽车领域的车载通信系统,都离不开SAW或BAW滤波器的支撑--二者通过特定的结构设计和独特的工作原理,能够精准识别并筛选出符合终端设备需求的有用射频信号,同时高效衰减不需要的杂波,干扰信号,保障信号传输的纯度与稳定性,直接决定终端设备的通信质量,抗干扰能力和运行可靠性.Suntsu深耕SAW,BAW滤波器研发生产多年,其生产的SAW,BAW滤波器均经过严苛的性能测试和环境测试,具备高选择性,低插入损耗,稳定性强等核心优势,广泛应用于智能手表晶振,5G基站,物联网终端,汽车电子等各类设备,成为射频通信链路中不可或缺的"信号守护者".需要特别注意的是,SAW与BAW滤波器的核心差异并非在于所使用的材料,而在于其内部结构设计和工作原理的不同,这也是二者后续在性能参数,适用场景上出现差异的核心根源.
陶瓷材料:器件性能的"支撑赋能者"
本文所讨论的陶瓷材料,特指电子级陶瓷材料(区别于普通工业陶瓷和民用陶瓷),主要包括压电陶瓷,介质陶瓷,陶瓷封装材料等,其核心定位是"支撑,赋能",本身不具备独立的滤波功能,但可作为SAW,BAW滤波器的核心组成部分,深度融入滤波器的结构中,直接影响滤波器的频率稳定性,耐环境能力,体积大小和可靠性.简单来说,陶瓷材料是SAW,BAW滤波器的"基础载体",没有优质的陶瓷材料,就无法实现滤波器的高性能和高可靠性.电子级陶瓷材料具备耐高温,耐腐蚀,介电性能优异,机械强度高,化学稳定性好,抗振动能力强等突出特点,根据用途和性能需求,可分为不同的类型:其中,压电陶瓷主要用于SAW,BAW滤波器的基片或谐振器,利用其压电效应实现电信号与声信号的相互转换,是滤波器实现信号筛选的核心基础,介质陶瓷主要用于介质滤波器的谐振器,电容器的介质层,利用其优异的介电性能,实现小型化,高效率的信号滤波,陶瓷封装材料主要用于SAW,BAW滤波器的封装,提供防潮,防尘,耐振动,耐高低温的保护,提升器件的长期运行可靠性.例如,Suntsu SAW滤波器采用的高品质石英陶瓷基片,BAW滤波器采用的高性能压电陶瓷谐振器,以及介质滤波器的陶瓷介质谐振器,均属于陶瓷材料的具体应用,陶瓷材料的性能优劣,直接决定了滤波器的频率精度,耐环境能力,插入损耗等关键指标.
核心特性区别:工作原理与性能参数差异
作为功能性器件,SAW,BAW滤波器有明确的工作原理和专属的性能参数,这些参数直接决定了其适配场景和应用价值,而陶瓷材料作为基础电子材料,其核心特性主要集中在物理性能,化学性能和介电性能上,没有"工作频段""插入损耗"等滤波器件特有的参数,二者的性能维度完全不同,具体区别如下,结合Suntsu SMD晶振产品细节进一步拆解,让差异更直观.
(一)SAW滤波器:基于表面声波的中低频滤波器件
1. 工作原理:SAW滤波器的核心工作原理是利用声表面波在压电基片(多为陶瓷基片,如石英陶瓷,铌酸锂陶瓷,钽酸锂陶瓷等)表面的传播特性,实现信号的筛选与过滤.其核心结构由压电陶瓷基片,输入叉指换能器,输出叉指换能器和反射器组成,当射频电信号施加到输入叉指换能器时,会激发压电陶瓷基片产生声表面波,声表面波在基片表面传播过程中,经过反射器的反射和筛选,只有特定频率的声表面波能够到达输出叉指换能器,进而转换为电信号输出,最终实现对有用信号的筛选和干扰信号的抑制.其核心特点是"声波沿基片表面传播",完全依赖压电基片的压电效应实现电信号与声信号的相互转换,进而完成滤波功能.
2. 核心性能参数:SAW滤波器的工作频段主要集中在3GHz以下的中低频段,这是其最核心的性能特征之一,插入损耗可低至0.5dB以下,部分Suntsu高端SAW滤波器插入损耗可达到0.4dB,选择性优异,能够有效抑制邻近频段的干扰信号,封装采用小型化设计,尺寸可低至1612规格(1.6mm×1.2mm),适配消费电子小型化,轻薄化的设计需求,生产工艺成熟,量产稳定性高,成本可控,适合大规模批量应用.其局限性也较为明显:高频性能衰减明显,在3GHz以上的高频段,其频率选择性和稳定性会大幅下降,无法满足高频通信场景的需求,同时功率容量相对有限,难以适配大功率设备的滤波需求.
3. 与陶瓷晶振材料的关联:SAW滤波器的核心基材是压电陶瓷基片,陶瓷基片的压电性能,温度稳定性,机械强度等参数,直接影响SAW滤波器的频率精度,插入损耗和耐环境能力.Suntsu SAW滤波器采用高品质石英陶瓷基片,经过精密加工和性能优化,确保在-40℃至+125℃的宽温域内性能稳定,频率公差可控制在±10ppm以内,能够完美适配中低频通用场景,兼顾性能与成本.
(二)BAW滤波器:基于体声波的高频高端滤波器件
1. 工作原理:BAW滤波器的工作原理与SAW滤波器类似,均依赖压电效应实现电信号与声信号的相互转换,但二者的核心差异在于声波的传播方向--BAW滤波器中的声波垂直于基片表面传播(即体声波),通过体声波谐振器高效捕获声波能量,减少信号传输过程中的损耗,进而实现更高精度的信号筛选.其核心结构采用压电陶瓷谐振器,通过多层薄膜堆叠工艺制成,谐振器之间的间距极小,能够有效提升频率精度和选择性,适配高频通信场景的需求.
2. 核心性能参数:BAW滤波器的工作频段主要集中在3GHz以上的高频段,完美弥补了SAW滤波器在高频场景下的性能短板,Q值(品质因子)高达1000以上,远高于SAW滤波器(SAW滤波器Q值通常在几百左右),部分Suntsu高端BAW滤波器Q值可达到1200以上,插入损耗低至0.3dB以下,甚至可达到0.25dB,频率稳定性极强,受温度变化的影响极小,在-55℃至+150℃的宽温域内性能保持稳定,能够适配极端高低温环境,功率容量大,可承受更高的输入功率,抗干扰能力突出,能够有效抑制高频杂波干扰和邻道干扰,保障高端设备的通信质量.其局限性主要是成本相对较高,量产工艺复杂度高于SAW滤波器,适合对性能要求高,预算充足的高端场景.
3. 与陶瓷材料的关联:BAW滤波器的核心元件是压电陶瓷谐振器,陶瓷材料的介电常数,压电系数,机械强度等参数,直接决定BAW滤波器的高频性能,频率稳定性和功率容量.Suntsu BAW滤波器采用高性能压电陶瓷材料,优化多层堆叠工艺,精准控制谐振器的尺寸和间距,确保在5G高频段(如5G sub-6GHz,毫米波频段)实现精准滤波,适配5G高端智能手机,手环手表晶振,5G基站等高端通信场景,保障高频通信的稳定性和可靠性.
(三)陶瓷材料:聚焦物理与介电性能的基础材料
1. 核心性能参数:陶瓷材料的核心性能参数与滤波器完全不同,主要集中在介电常数,压电系数,耐高温性,机械强度,化学稳定性,介电损耗等方面,没有"工作频段""插入损耗""Q值"等滤波器件特有的参数.例如,压电陶瓷的压电系数越高,越容易激发声波,适配SAW,BAW滤波器的信号转换需求,能够提升滤波器的信号转换效率,介质陶瓷的介电常数越高,越适合制作小型化的谐振器,可有效缩小滤波器的体积,陶瓷材料的耐高温性能越好,越能适配工业,汽车等严苛的高温环境,提升器件的长期运行可靠性.
2. 核心特性:电子级陶瓷材料具备一系列突出特性,其中最核心的包括:耐高温,可承受1000℃以上的高温,远高于普通电子材料,耐腐蚀,能够抵御酸碱,潮湿等恶劣环境的侵蚀,机械强度高,抗振动,抗冲击能力强,适合工业,汽车等复杂场景,介电性能稳定,不受频率变化的影响(本身无滤波功能),可根据不同器件的用途调整陶瓷配方,适配不同的性能需求.例如,用于SAW滤波器基片的陶瓷材料,重点优化压电性能和温度稳定性,用于介质滤波器的陶瓷材料,重点优化介电常数和介电损耗,用于封装的陶瓷材料,重点优化防潮,防尘和机械强度.
3. 与滤波器的关联:陶瓷材料是SAW,BAW滤波器的"基础载体",而非"功能主体",二者是"材料支撑器件"的关系.同一类陶瓷材料可用于不同类型的滤波器,例如压电陶瓷既可以用于SAW滤波器的基片,也可以用于BAW滤波器的谐振器,但不同类型的滤波器对陶瓷材料的性能要求不同,需针对性选型--SAW滤波器对陶瓷基片的压电性能和温度稳定性要求较高,BAW滤波器对陶瓷谐振器的介电常数和压电系数要求更高,无法通用同一种规格的陶瓷材料,Suntsu无源谐振器会根据滤波器的性能需求,定制化开发适配的陶瓷材料,确保二者完美兼容.
材料应用区别:用途与适配场景差异
SAW,BAW滤波器作为功能性器件,有明确的应用场景和用途,其应用场景主要由自身的性能参数决定,陶瓷材料作为基础电子材料,其用途随器件类型的变化而变化,没有固定的专属应用场景,可广泛适配各类电子器件,二者的应用场景关联但不重合,具体区别如下,结合Suntsu无源谐振器实际应用案例,让场景适配更具参考性.
(一)SAW滤波器:中低频通用场景,性价比优先
核心应用场景:SAW滤波器主要适配3GHz以下的中低频段,凭借高性价比,小型化,批量适用性强的优势,广泛应用于各类中低频通信场景,涵盖消费电子,物联网,汽车电子,安防设备等多个领域.具体包括:消费电子领域的智能手机(2G/3G/4G频段滤波),智能穿戴设备(智能手表,智能手环),无线耳机,平板电脑等,物联网领域的智能家居设备,智能传感器,物联网网关等,汽车电子领域的远程无钥匙输入(RKE),车载导航,车载娱乐系统等,安防设备领域的监控摄像头,无线报警设备等.其核心定位是"通用型中低频滤波解决方案",主打高性价比,满足大规模批量应用需求.Suntsu SAW滤波器案例:Suntsu一款主流SAW滤波器,采用高品质石英陶瓷基片,封装尺寸为2016陶瓷贴片晶振规格(2.0mm×1.6mm),插入损耗低至0.4dB,频率公差±10ppm,工作温度范围-40℃至+125℃,适配智能手机2G/3G/4G频段滤波,能够有效抑制邻近频段的干扰信号,提升手机通信质量,目前已批量应用于多家消费电子厂商的产品中,兼顾性能与成本,获得市场广泛认可.
(二)BAW滤波器:高频高端场景,性能优先
核心应用场景:BAW滤波器主要适配3GHz以上的高频段,凭借高Q值,高稳定性,高抗干扰能力,大功率容量的优势,主要应用于高端通信场景,涵盖5G高端设备,卫星通信,精密测量仪器,自动驾驶车载通信等领域.具体包括:5G领域的高端智能手机(5G sub-6GHz,毫米波频段),5G宏基站,5G小基站等,卫星通信领域的卫星接收机,卫星通信终端等,精密测量仪器领域的射频测试仪,信号发生器等,自动驾驶领域的车载雷达,车载通信终端等.其核心定位是"高端高频滤波解决方案",主打高性能,满足对通信质量要求极高的高端设备需求.Suntsu BAW滤波器案例:Suntsu一款适配5G场景的BAW滤波器,采用高性能压电陶瓷谐振器,工作频段为5GHz,Q值高达1200,插入损耗低至0.25dB,工作温度范围-55℃至+150℃,功率容量可达1W,能够有效抑制高频杂波干扰,保障5G信号传输的纯度和稳定性,目前已应用于5G高端智能手机和5G小基站中,完美适配5G高频通信场景的严苛需求.
(三)陶瓷材料:多场景适配,赋能各类器件
核心应用场景:陶瓷材料作为基础电子材料,应用范围极为广泛,不仅限于SAW,BAW滤波器,还涵盖介质滤波器,陶瓷封装,传感器,电容器等各类电子器件,其用途主要取决于陶瓷材料的类型和性能,具体可分为三大类,每类用途对应不同的应用场景,全方位赋能电子器件性能升级.
1. 压电陶瓷:主要用于SAW,BAW滤波器的基片或谐振器,提供压电效应,实现电信号与声信号的相互转换,适配射频滤波场景,同时也可用于传感器(如压力传感器,振动传感器),利用其压电效应实现信号检测,广泛应用于工业控制,汽车电子等领域.
2. 介质陶瓷:主要用于介质滤波器的谐振器,电容器的介质层,利用其优异的介电性能,实现小型化,高效率的信号滤波和能量存储,适配5G基站,工业设备,消费电子等场景,其中用于5G基站的介质陶瓷谐振器,能够有效缩小基站设备体积,提升滤波效率.
3. 陶瓷封装材料:主要用于SAW,BAW滤波器,传感器,芯片等电子器件的封装,提供防潮,防尘,耐振动,耐高低温的保护,提升器件的长期运行可靠性,适配工业,汽车,户外等严苛环境,例如用于汽车电子器件的陶瓷封装材料,可承受汽车运行过程中的剧烈振动和高低温变化,确保器件稳定运行.Suntsu陶瓷材料应用:Suntsu具备陶瓷材料的定制与应用能力,能够根据SAW,BAW滤波器的性能需求,定制化开发陶瓷基片,陶瓷谐振器,优化陶瓷配方,确保基片的压电性能,谐振器的介电性能完全适配滤波器的结构和性能需求,同时提供陶瓷封装解决方案,采用高品质陶瓷封装材料,为SAW,BAW滤波器提供全方位的保护,提升器件的耐环境能力,适配工业,汽车等严苛场景的使用需求.
核心区别总结:一张表看懂三者差异
为方便客户快速梳理SAW,BAW滤波器与陶瓷材料的核心区别,避免混淆选型,结合前文的详细解析,整理以下对比表,清晰呈现三者在核心维度的关键差异,涵盖本质定位,工作原理,核心性能,与陶瓷关联,适用场景,成本等六大核心维度,数据精准,直观易懂,助力客户快速抓取关键信息,实现精准选型.
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对比维度 |
SAW滤波器 |
BAW滤波器 |
陶瓷材料 |
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本质定位 |
射频功能器件（信号滤波），直接实现信号筛选与抗干扰 |
射频功能器件（信号滤波），直接实现信号筛选与抗干扰 |
基础电子材料（支撑、赋能），无独立滤波功能，支撑器件运行 |
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工作原理 |
声表面波沿压电基片表面传播，通过叉指换能器实现电声转换，完成信号筛选 |
体声波垂直于基片表面传播，通过体声波谐振器捕获声波能量，完成信号筛选 |
无工作原理，依托自身物理、介电性能，为器件提供支撑和性能赋能 |
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核心性能 |
中低频（≤3GHz）、低插损（0.4-0.5dB）、高性价比、小型化、批量稳定 |
高频（≥3GHz）、高Q值（≥1000）、高稳定性、大功率、低插损（0.25-0.3dB） |
耐高温（≥1000℃）、高介电、压电性优、机械强度高、化学稳定性好 |
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与陶瓷关联 |
以陶瓷为基片，陶瓷基片的压电性能、温度稳定性直接影响滤波精度和耐环境能力 |
以陶瓷为谐振器材料，陶瓷的介电常数、压电系数决定高频性能和稳定性 |
作为基材/封装材料，赋能滤波器性能，不同滤波器对陶瓷性能要求不同 |
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适用场景 |
消费电子、物联网、汽车电子（中低频），主打通用、批量、高性价比 |
5G高端设备、卫星通信、精密仪器（高频），主打高性能、高可靠性 |
各类电子器件（滤波器、传感器、封装等），适配多领域、多场景 |
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成本 |
低，生产工艺成熟，适合大规模批量应用，性价比突出 |
高，量产工艺复杂，核心材料成本高，适合高端场景 |
根据配方、性能不同，成本差异较大，适配不同价位的器件需求 |
选型建议:结合需求,精准匹配三者应用
结合SAW,BAW滤波器与陶瓷材料的核心区别,结合Suntsu贴片晶振数十年的行业实践经验和大量客户选型案例,为客户提供针对性的选型建议,明确不同需求场景下的最优选择,避免混淆选型,确保选型贴合实际需求,最大化发挥元器件价值,同时降低研发和生产成本.
1. 若需求是"中低频滤波,高性价比,批量应用":优先选择Suntsu SAW滤波器,其采用优质石英陶瓷基片,兼顾性能与成本,插入损耗低,稳定性强,封装小型化,能够完美适配消费电子,物联网,汽车电子等中低频通用场景,适合大规模批量采购和应用,有效控制生产成本.
2. 若需求是"高频滤波,高稳定性,高抗干扰":优先选择Suntsu BAW滤波器,其采用高性能压电陶瓷谐振器,Q值高,插入损耗低,频率稳定性极强,能够适配5G高端设备,卫星通信,精密测量仪器等高频高端场景,保障高频通信的纯度和稳定性,满足高端设备的严苛性能需求.
3. 若需求是"器件基材,封装或性能优化":聚焦陶瓷材料,根据自身所需器件类型(SAW/BAW/介质滤波器,传感器等),选择适配的陶瓷材料类型(压电陶瓷/介质陶瓷/陶瓷封装材料),Suntsu可根据客户的具体性能需求,定制化开发陶瓷材料方案,优化陶瓷配方,确保陶瓷材料与器件完美适配,提升器件性能.
4. 核心原则:陶瓷材料是"基础支撑",SAW,BAW滤波器是"功能实现",选型时无需单独考虑陶瓷材料,应先明确自身的滤波需求(工作频段,性能要求,成本预算,应用场景),再选择对应的SAW或BAW滤波器,Suntsu滤波器已集成优质的陶瓷组件(基片,谐振器等),无需客户单独选型陶瓷材料,可直接应用于终端设备,大幅提升选型和应用效率.
Suntsu的核心优势:一站式解决器件与材料适配需求
Suntsu Electronics不仅深耕SAW,BAW滤波器的研发,生产与销售,更具备电子级陶瓷材料的定制与应用能力,打破"材料与器件分离"的行业痛点,能够实现"滤波器+陶瓷材料"的一体化适配,为客户提供一站式的元器件解决方案,核心优势体现在两大方面,全方位助力客户解决选型,应用中的各类难题.
1. 器件与材料协同优化:Suntsu拥有专业的射频技术研发团队和陶瓷材料研发团队,能够根据SAW,BAW滤波器的性能需求,定制化开发陶瓷基片,陶瓷谐振器,优化陶瓷配方和加工工艺,确保陶瓷材料的性能与滤波器的结构,性能完美适配,最大化发挥器件的核心性能,避免出现材料与器件不兼容,性能不达标等问题,同时降低客户的研发成本和风险.
2. 全场景选型支持与技术服务:Suntsu专业的技术团队,可根据客户的应用场景,工作频段,性能要求,成本预算,为客户提供一对一的选型指导,精准推荐适配的SAW/BAW滤波器及对应的陶瓷材料方案,同时提供完善的产品手册,技术文档,测试报告,协助客户完成电路设计,产品调试等工作,及时响应客户的技术咨询,快速解决客户在产品应用过程中的各类技术难题,助力客户快速选型,高效应用,缩短研发周期,提升终端设备性能.无论是SAW,BAW滤波器的选型,还是陶瓷材料的适配,Suntsu都始终以客户需求为导向,凭借严苛的品质管控体系,深厚的技术积淀,完善的服务体系,为全球客户提供高品质,高适配的元器件解决方案.未来,Suntsu将继续深耕射频领域和陶瓷材料领域,持续优化产品性能,拓展应用场景,以专业的产品和贴心的服务,助力终端设备实现性能升级,与全球客户携手共赢,共同推动电子产业的高质量发展.
解析SAW/BAW滤波器与陶瓷材料的核心区别
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SXT22418FE48-32.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
32 MHz |
±15ppm |
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18pF |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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±50ppm |
±50ppm |
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Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
26 MHz |
±15ppm |
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SXT22418FE48-26.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
26 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
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SXT22418FE48-24.576M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
24.576 MHz |
±15ppm |
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Suntsu Electronics, Inc. |
SXT324 |
40 MHz |
±25ppm |
±25ppm |
20pF |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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32.768 kHz |
- |
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12.5pF |
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Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
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±15ppm |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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±15ppm |
±10ppm |
18pF |
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SXT22418FE48-12.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
12 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
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SXT22418FE48-25.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
25 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
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SXT22418FE48-30.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
30 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
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SXT22418FE48-24.576MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
24.576 MHz |
±15ppm |
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18pF |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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±50ppm |
7pF |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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32.768 kHz |
- |
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Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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- |
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Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
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±15ppm |
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18pF |
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SXT22418FE48-16.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
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16 MHz |
±15ppm |
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18pF |
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Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
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18pF |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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SXT22418FE48-26.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
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26 MHz |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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Suntsu Electronics, Inc. |
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Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
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18pF |
|
SWS1127D48-32.768K |
Suntsu Electronics, Inc. |
SWS112 |
32.768 kHz |
- |
±20ppm |
7pF |
|
SXT22418FE48-20.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
20 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-16.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
16 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-32.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
32 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-30.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
30 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-27.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
27 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-16.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
16 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-25.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
25 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-32.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
32 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT1147AA16-25.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT114 |
25 MHz |
±50ppm |
±50ppm |
7pF |
|
SXT22418FE48-26.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
26 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-26.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
26 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-24.576M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
24.576 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT32420CC48-40.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT324 |
40 MHz |
±25ppm |
±25ppm |
20pF |
|
SWS61412D48-32.768K |
Suntsu Electronics, Inc. |
* |
32.768 kHz |
- |
±20ppm |
12.5pF |
|
SXT22418FE48-20.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
20 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-12.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
12 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-12.000M |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
12 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-25.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
25 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
|
SXT22418FE48-30.000MT |
Suntsu Electronics, Inc. |
SXT224 |
30 MHz |
±15ppm |
±10ppm |
18pF |
