低消耗温补晶振,SMD有源晶振,TG-5501CA晶振,X1G0039010051晶振

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爱普生晶振,温补晶振,TG-5501CA晶振,X1G0039010051晶振

频率：10-50MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

随着科技日益发展,电子元器件体积也越来越小,智能手机,平板电脑等无线通讯器材,也随着小型化,就在苹果2016年推出智能手环以来,各项智能手环通讯产品在国内陆陆续续的推出,因智能手环本身重量轻,体积小等原因,所以内部所使用的电子零件均是目前新小的产品.石英晶体振荡器、有源晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中

订购热线：0755-27876236

爱普生晶振,温补晶振,TG-5501CA晶振,X1G0039010051晶振,贴片石英晶体振荡器,又简称为排带包装,这是这产品采用排带盘式包装,使产品在焊接时能采用SMT自动贴片机高的速的焊接,大大节约人工,提高的工作效率,其本身主要应用在时钟控制产品,或者是控制模块,主要给时钟芯片提供一个基准信号,其主要各项功能还得看应用何种产品.本产品具有小型,薄型,轻型的贴片晶振,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高的温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：温补晶体振荡器是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	10-50MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +90℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.oscillatorcrystal.com
		H: -30℃ to +85℃

频率稳定度	f_tol	J: ±0.2× 10^-6
		L: ±2.0× 10^-6
		T: ±1.0× 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

爱普生有源晶体振荡器编码列表:

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	F.Tol@25°C	Ope Temperature	Freq/Temp	I [Max]	Freq. Control	25°C Aging
X1G0039010051	TG-5501CA	24.576000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010057	TG-5501CA	49.152000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 8.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010083	TG-5501CA	27.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 6.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010085	TG-5501CA	15.360000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010087	TG-5501CA	26.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010089	TG-5501CA	16.384000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010090	TG-5501CA	25.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010091	TG-5501CA	19.440000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010093	TG-5501CA	40.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 6.0 mA		+/-0.5ppm
X1G0039010095	TG-5501CA	20.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	+/-1.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.28 ppm	≤ 5.0 mA		+/-0.5ppm

TG-5501CA

爱普生有源晶体振荡器产品列表:

tg5035

如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加石英晶振的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该5032晶振应正常后，谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：

方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过晶体具有较低负载电容（CL）。

方法2：采用小电阻（RR）的有源晶体。

方法3：使用镉和CG的不等价的设计。

我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本，保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体，以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格，请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率，反之亦然高得多系统不能正常工作，由于输出频率会偏差很大。

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爱普生晶振集团运用ISO14001环境管理系统进行环境管理，尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担，并通过业务发展推进环境改善。

爱普生晶振7050低电压贴片晶振遵守所有适用的有关环境、健康和安全的法律和法规以及CTS晶振集团自己的有关环境、工业卫生和安全的方针和承诺。

与我们的员工一起开创并保持一个免于事故的工作场所。金属面SMD晶振重视污染预防，消除偏离程序的行为强调通过员工努力这一最可行的方法持续改进我们经营活动的环境绩效。

将持续的环境、健康和安全方面的改进、污染预防和员工的努力纳入日常运行当中。加强污染防治，减少现有的污染废弃物以及在未来生产制造中所产生的污染。

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深圳市兆现电子有限公司
联系人：龚成

电话：0755--27876236
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低消耗温补晶振 SMD有源晶振 TG-5501CA晶振 X1G0039010051晶振

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