爱普生晶振,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
频率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0*1.6mm
精工爱普生株式会社（总经理:碓井 稔,以下简称为“爱普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫电子有限公司签订在中国区域深圳总代理签订合作协议,在同年期间苏州爱普生水晶宣布将高端的石英晶体振荡器生产重心转移到中国苏州爱普生工厂生产,并且成立研发中心.因为智能手机,以及GPS卫星导航的普及,有源晶振得到迅速的发展,并且从早期5X7mm的体积演变到今天2520mm体积的温补晶振,压控晶振,以下是有源石英晶体振荡器部分产品型号,爱普生料号等.
爱普生晶振,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性2016晶振元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。
|
型号 |
符号 |
参数 |
|
输出规格 |
- |
CMOS |
|
输出频率范围 |
fo |
1.2~75MHZ |
|
电源电压 |
VCC |
1.6~3.63V |
|
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存温度范围 |
T_stg |
-40-+85℃ |
|
运行温度范围 |
T_use |
-10-+70℃ ,-40-+85℃ |
|
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
|
待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
|
波形对称 |
SYM |
45-55% [at outputs cross point] |
|
0电平电压 |
VOL |
- |
|
1电平电压 |
VOH |
- |
|
上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20-80% Output-OutputN] |
|
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247-0.454V |
|
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
补偿电压 |
VOS |
1.125-1.375V |
|
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉点电压 |
Vcr |
- |
|
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
|
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
|
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
爱普生有源进口MHZ振荡器编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SEBA
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
33.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
16.666600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SEBA
14.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
37.125000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG2016CAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
25.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
16.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
74.250000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A012 | SG-210SEBA | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-100 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A013 | SG-210SEBA | 33.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A014 | SG-210SEBA | 16.666600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A016 | SG-210SEBA | 14.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G004611A017 | SG-210SEBA | 37.125000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-3ppm | 40 to 60 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0048010002 | SG2016CAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0048010012 | SG2016CAN | 25.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0048010014 | SG2016CAN | 16.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.8 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0048010016 | SG2016CAN | 74.250000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.0 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % |
晶振产品使用每种产品时,请在进口有源晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。爱普生晶振,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
所有产品的共同点1：抗冲击:抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英贴片晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂:请勿使用可能导致金属面晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.加强环境意识教育,提高小体积MHZ系列晶振环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）,,石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响. 爱普生晶振,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器,振荡器2016,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.
爱普生晶振环境影响的最小化：遵照社会的期望,改进的环境行为,我们将通过2016普通有源晶振有效利用森林、能源以及其它资源,减少形式的废物来实现这一承诺.爱普生晶振环境管理体系：在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标.
联系人：龚成
QQ：769468702
手机：13590198504
邮箱:zhaoxiandz@163.com
网站:http://www.oscillatorcrystal.com
采购：爱普生晶振,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
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32.768K
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手机：135-9019-8504
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